62 Физика полупроводников и микроэлектроника 2019, том 1, выпуск 4 Полупроводниковое материаловедение УДК 621.315.592 ТЕНЗОСВОИСТВА КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ Турсынбаев Сабырбай Ауесбай угли *, докторант Нукусского государственного педагогического института, г. Нукус, ул. П.Сейтова, е-mail: sabirbav fizika@,mail.ru Камалов Амангелди Базарбаевич, д.ф.-м.н., доцент, декан факультета «Физика-математика» Нукусского государственного педагогического института, г. Нукус, ул. П. Сейтова. е- mail: akamalov@mail.ru Илиев Халмурат Миджитович, д.ф.-м.н., профессор, заведующий кафедрой Ташкентского государственного технического университета, г. Ташкент, Узбекистан, е-mail: xolmurod.iliev@tdtu.uz Тачилин Станислав Анатольевич, к.т.н., доцент Ташкентского государственного технического университета, г. Ташкент, Узбекистан, е-mail: tachilin-s@yandex.ru Кушиев Гиёсиддин Абдивахоб угли, ассистент преподаватель Ташкентского государственного технического университета, г. Ташкент, Узбекистан, е-mail: gkushiyev@inbox.ru Аннотация.В работе приведены результаты исследования тензоэлектрических свойств кремния в объеме, которого были сформированы нанокластеры примесных атомов марганца. Для увеличения величины деформации была разработана специальная геометрическая форма кристалла. Для исследования тензоэлектрических свойств образцов была сконструирована и собрана специальная установка, которая позволяет проводить измерения, как в темноте, так и при освещении. Ключевые слова.Полупроводник, монокристаллический кремний, давление, нанокластер, тензодатчик, марганец, диффузия, темновой ток, температура. TENSE PROPERTIES OF SILICON WITH NANOCLUSTERS Tursinbaev Sabirbay Awesbay ugli*, Doctoral Student of Nukus State Pedagogical Institute, Nukus. е- mail: sabirbay_fizika@mail.m Kamalov Amangeldi Bazarbaevich, Dr. of Phys. and Math.Sc., Ass. Prof., Dean of the Faculty of Physics and Mathematics, Nukus State Pedagogical Institute, Nukus. е-mail: akamalov@mail.ru Iliev Halmurat Mijitovich, Dr. of Phys. and Math.Sc., Professor, Head of the Department of Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan^-mail: xolmurod.iliev@tdtu.uz Tachilin Stanislav Anatolevich, Ph.D., Ass. Prof. ofTashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan^-mail: tachilin-s@yandex.ru Kushiyev Giyosiddin Abdivaxob ugli,Assistant teacher of Tashkent State Technical University, Tashkent, Uzbekistan, е-mail: gkushiyev@inbox.ru Annotation. The paper presents studies of the tensoelectric properties of silicon in the volume of which nanoclusters of impurity manganese atoms were formed. To increase the strain, a special geometric shape of the crystal was developed. To study the tensoelectric properties of the samples, a special installation was designed and assembled, which allows measurements to be made both in the dark and under lighting.