Dieses Dokument ist eine Zweitveröffentlichung (Postprint) / This is a self-archiving document (accepted version): Diese Version ist verfügbar / This version is available on: https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa2-770048 Patrick D. Lomenzo, Stefan Slesazeck, Michael Hoffmann, Thomas Mikolajick, Uwe Schroeder, Benjamin Max Ferroelectric Hf1-xZrxO2 memories: device reliability and depolarization fields Erstveröffentlichung in / First published in: 2019 19th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS). Durham, 28.-30. Oktober 2019. IEEE. ISBN 978-1-7281-4431-3 DOI: https://doi.org/10.1109/NVMTS47818.2019.9043368