Ζ. Kristallogr. NCS 215 (2000) 205-206 205 © by Oldenbourg Wissenschaftsverlag,zyxwvutsrqponmlkjihgfedcbaZXWVUTSRPNMLJIHGFEDCBA  M٧nchen  Crystal structure of the defect clathrate CssSilm^ H. G. von Schnering 1 , R. Kröner 1 , M. Baitinger 1 , K. Peters 1 , R. Nesper 11 and Yu. Grin*· 111 I  Max-Planck-Institut f٧r Festkφrperforschung, Heisenbergstr. 1, D-70506 Stuttgart, Germany  II  ΕΤΗ Z٧rich, Laboratorium f٧r Anorganische Chemie, Universitδtstraίe 6, CH-8092 Z٧rich, Switzerland  III  Max-Planck-Institut f٧r Chemische Physik fester Stoffe, Pirnaer Landstraίe 176, D-01257 Dresden, Germany  Received August 20, 1999, CSD-No. 409448  d3 Sn2 Sn3 Sn2 Sn3 Sn1 Abstract CsgSn44, cubic,wnmldaP Pm3n (No. 223), a = 12.105(1) Δ,  V= 1773.8 Δ 3 , Ζ =  Γ =293 Κ.  1,wsrponmlkihgfedcbaRNMKIFA R g i(F) = 0.021, wR K f(F A ) = 0.038,  Discussion The first refinement of the title structure from the powder data  gave the composition CssSrus with relatively large displacement  for the Sn 1 position [ 1 ]. The standard refinement (averaged struc- ture, without split positions) results in the composition CsgSn,,  with η  = 44.0+0.1 (R(F) = 0.059; see Table 2 and also [2,3]). The  Cs2 anisotropic displacement is usually observed and is related to  the shape of the Sn24 cage (Fig., lower part), but the large £/ eq  =  0.0437(8) for Sn and the strong anisotropy at the Sn3 position  (Table 2) is unexpected. Bond lengths for the averaged structure:  dl = 2.805 Δ, d2 = 2.846 Δ, d3 = 2.882 Δ, d4 = 2.735 Δ and d w  =  2.819 A. The Sn3 displacement of about 0.3 Δ is related to the de- fects at the Snl position (note the short d4 distance). Further re- finements [4] yield in CssSn„ with η = 44.00+0.02 and show  unambiguously that the anisotropic Sn3 displacement results  from the presence of two split positions, Sn31 and Sn32 (/? gt (F) =  0.021 for 249 F ohs > 4a(F 0 bs) and R M (F) = 0.032 for all 310 re- flections, Table 3). The Sn31 and Sn32 positions are occupied al- ternatively in the ratio 4:2 which agrees perfectly with the  distribution of 4 Sn atoms and two defects (•) at the 6c position of  Sn 1. The Sn32 positions mark the four 3-fold bonded Sn" anions  around the defects (J4(Sn32— •) = 2.32 Δ, J(Sn32—Sn32) =  3.79 Δ. Bond lengths are as follows: dl = 2.806 Δ, d2 = 2.801 A or  3.03 Δ, d3 = 2.77 Δ or 3.05 A, d4 = 2.86 Δ. The displacement el- lipsoids indicate local equilibrations in the d2 and c/3 distances.  Furthermore, the splittings of the Sn3 and Cs2 positions shorten  Cs + —Sn~ distances. For more details see [5].  Source of material The compound was synthesized from the elements in the  stoichiometric ratio (sealed Ta tube, heating up to 1273 Κ for 3 h,  annealing at 1270 Κ for 1 h and at 970 Κ for 2 d). CsgSn+φ forms  well shaped grey crystals with metallic luster. The brittle  compound is a semiconductor (E g  = 0.14 eV) and is stable in air  and against dilute acids and bases.  Table 1. Data collection and handling.  Crystal:  Wavelength:  :  Diffractometer, scan mode:  29max:  N(hkl)mcasured, N(hkl)u„iquC:  Criterion for I 0 b S , N(hkl) g N(param) refined: Program:  grey with metallic lustre,  size 0.08 χ 0.08 χ 0.08 mm  MoaK Ka radiation (0.71069 Δ)  198.96 cm" 1  Syntex P2, Wyckoff  49.84°  1649,310  Us > 2 o(/obsj, 249  24  SHELXS-97 [6]  * Correspondence author (e-mail: grin@cpfs.mpg.de)