Received: March 6, 2007 Accepted: November 27, 2007 Abstract In the copper ball bond process, aluminum squeezes out under the ball deformation proc- ess since it is softer than copper. The final thickness of the copper ball decides the over- all strength of the bond and hence knowledge of its final thickness helps to optimize the ball bond force during the bonding process. An etch- ing method is developed for the analysis of the squeezed aluminum beneath the copper wire ball bond. The aluminum remnant obtained from the etching method is compared with that from the conventional cross-section method. It was found that the results are comparable and the present developed etched method is simple and elegant. Introduction In electronic industry, the important intercon- nection methods [1,2] in integrated circuit (IC) are (a) wire bonding, (b) flip-chip and (c) tape- automated bonding. Among the three methods, wire-bonding is still the dominant form of a first level interconnection in electronic packages. It is estimated that over 95% of the manufactured packages are being wire bonded [3]. In the wire bonding method, different interconnected wires e.g. gold, aluminum and copper are popular [4- 7]. Recently, copper wire bonding has been growing tremendously in the electronic IC mar- kets [8-11], because copper is cheaper than gold and copper has a good stiffness. Eingegangen: 6. März 2007 Angenommen: 27. November 2007 Übersetzung: Dr. A. Reichelt Kurzfassung Bei dem Kupferkugelverfahren wird während des Kugelverformungsvorgangs Aluminium her- ausgedrückt, da es weicher als Kupfer ist. Über die Gesamtfestigkeit der Bondstelle entschei- det die Enddicke der Kupferkugel, und wenn man deren Enddicke kennt, lässt sich die Kugel- bondkraft während des Bondvorgangs besser optimieren. Zur Analyse des herausgedrückten Aluminiums unter der Kupferdrahtbondkugel wird ein Ätzverfahren entwickelt. Das Restalu- minium, das man bei dem Ätzverfahren erhält, wird mit demjenigen bei dem herkömmlichen Querschliffverfahren verglichen. Es wurde fest- gestellt, dass die Ergebnisse vergleichbar sind, und das vorliegende, entwickelte Ätzverfahren ist einfach und elegant. Einleitung In der Elektronikindustrie sind die wichtigen Verbindungsverfahren [1,2] in der integrierten Schaltung (IC) (a) das Drahtbonden, (b) das Flip- Chip-Bonden und (c) das automatische Folien- bonden. Unter den drei Verfahren ist das Draht- bonden immer noch die vorherrschende Form einer Verbindung der ersten Ebene in Elektro- nikeinheiten. Es wird geschätzt, dass mehr als 95% der hergestellten Einheiten drahtgebon- det sind [3]. Bei dem Drahtbondverfahren sind verschiedene miteinander verbundene Drähte, beispielsweise aus Gold, Aluminium und Kupfer, beliebt [4-7]. In jüngster Zeit hat sich das Kup- ferdrahtbonden auf den IC-Elektronikmärkten Measurement of Deformed Aluminum Layer of Bond Pads in Cu-Wire Bonded Integrated Circuit Devices Using a Etching Approach Messung einer verformten Aluminiumschicht an Bondkontakten in mit Cu-Draht gebondeten integrierten Schaltungsvorrichtungen mit Hilfe eines Ätzverfahrens Jeromerajan Premkumar and Narasimalu Srikanth* Peter, D. et al: Quantitative Charakterisierung / Quantitative Characterisation Prakt. Metallogr. 45 (2008) 0 © Carl Hanser Verlag, München 1