JOURNAL OF QAFQAZ UNIVERSITY-PHYSICS 2013. Volume 1, Number 2 Pages 191-199 191 UOT: 539.21:537.86 TEMPERATURE AND FREQUENCY DEPENDENCES OF DIELECTRIC PROPERTIES OF NANO SIO2 COMPOUND E.M. HUSEYNOV, A.A. GARIBOV, R.N. MECHTIYEVA The Institute of Radiation Problems of ANAS Baku / AZERBAIJAN hus.elchin@yahoo.com, hus.elchin@gmail.com ABSTRACT Temperature and frequency dependences of dielectric properties of specially formed nano SiO2 powder (20nm) have been analyzed in the submitted work. Hence, first, nano SiO2 compound has been prepared in the form of special cylinder being pressed under 2kN/cm 2 pressure. The experiences have been carried out less than 1 kHz frequency at 290-470K range of temperature and at room temperature with 25Hz-1MHz range of frequency in E7 –20 device. In the result of measurements it has been revealed that dielectric capacitivity increases firstly with a leap in the heating process and reaches maximum value at 310K temperature. Dielectric capacitivity gradually decreases (310K – 370K) and becomes stabilized at 370K – 470K temperature. Temperature dependence of dielectric properties of nano SiO2 powder has been viewed in heating and cooling processes. With the increase of frequency, real part of the dielectric capacitivity decreases hyperbolically from 3,526313F/m up to 0,106887F/m and imaginary part from 2,93 8124F/m up to 0,094114F/m. The current has been leaked from the samples in the direction of cylinder’s height and all measurements have been carried out for this case. In the result of conducted experiments, all results have been depicted in the form of graphic on “OriginPro 9.0” program. Keywords: Permittivity, dielectric function, nano silica, nanopowder. NANO SIO2 BİRLƏГMƏSİNİN DİELEKTRIK XASSƏLƏRİNİN TEMPERATUR VƏ TEZLİK ASILILIQLARI XÜLASƏ Təqdim olunan işdə, xüsusi formada hazırlanmış nano SiO2 tozunun (20nm) dielektrik xassələrinin temperatur və tezlik asılılıqları təhlil olunmuşdur. Belə ki, öncə toz halında olan nano SiO2 birləşməsi 2kN/sm 2 təzyiq altında sıxılaraq xüsusi silindir formasında hazırlanmışdır. Təcrübələr 1kHz tezlik altında temperaturun 290 - 470K inter- valında və otaq temperaturunda tezliyin 25Hz-1MHz aralığında, E7-20 cihazında aparılmışdır. Ölçmələr nəticəsində məlum olmuşdur ki, dielektrik nüfüzluğu qızma prosesində ilk olaraq sıçrayışla artır və temperaturun təqribən 310K qiymətində maksimum qiymət alır. Dielektrik nüfuzluğu 310K - 370K temperatur aralığında tədricən azala- raq demək olar ki sabitləşir (370-470). Nano SiO2 tozunun dielektrik xassələrinin temperatur asılılığı qızma və so- yuma proseslərində nəzərdən keçirilmişdir. Tezliyin artması ilə dielektrik nüfuzluğunun həqiqi hissəsi 3,526313F/m qiymətindən 0,106887F/m qiymətinə və xəyali hissəsi 2,938124F/m qiymətindən 0,094114F/m qiymətinə qədər təq- ribən hiperbolik olaraq azalır. Nümunələrdən cərəyan silindirin hündürlüyü istiqamətində keçirilmişdir və bütün ölçmələr bu hal üçün aparılmışdır. Aparılan təcrübələr nəticəsində alınmış bütün nəticələr “OriginPro 9.0” proqra- mında qrafik olaraq təsvir edilmişdir. Açar sözlər: Dielektrik nüfuzluğu, dielektrik funksiyası, nano kvars, nanotoz. ТɯʂʆɯʇАТУʇʃАʠ ɸ ʕАʈТʅТʃАʠ ЗАɪɸʈɸʂʅʈТɸ ɮɸʝʁɯКТʇɸʕɯʈКɸʒ ʈɪʅɹʈТɪ ʈʅɯɮɸʃɯʃɸʠ ʃАʃʅ SIO2 ʇɯЗʟʂɯ ɪ ˔˕ʺʹ˖˘аʵˏʺˑˑ˓ˇ ˕аʴ˓˘ʺ ʴ˩ˏˆ ˔˕˓аˑаˏˆзˆ˕˓ʵаˑ˩ ˘ʺː˔ʺ˕а˘˙˕ˑаˮ ˆ ˣа˖˘˓˘ˑаˮ заʵˆ˖ˆː˓˖˘ˆ ʹˆ˫ˏʺк˘˕ˆ- ˣʺ˖кˆˠ ˖ʵ˓ˇ˖˘ʵ ˖˔ʺˢˆаˏ˪ˑ˓ ˖˟˓˕ːˆ˕˓ʵаˑˑ˩ˇ ˑаˑ˓ ˔˓˕˓˦ка SiO2 (20 ˑː). ʆʺ˕ʵ˓ˑаˣаˏ˪ˑ˓, ˖˓ʺʹˆˑʺˑˆʺ ˑаˑ˓ SiO2 ˔˓ˏ˙ˣа˭˘ ʵ ʵˆʹʺ ˖˔ʺˢˆаˏ˪ˑ˓ʶ˓ ˢˆˏˆˑʹ˕а ˖˔˓ː˓˧˭ жа˘ˆˮ ˔˓ʹ ʹаʵˏʺˑˆʺː 2kʃ/cː 2 . ʅ˔˩˘˩ ʴ˩ˏˆ ˔˕˓ʵʺ- ʹʺˑ˩ ˔˕ˆ 290-470K ʹˆа˔аз˓ˑʺ ˘ʺː˔ʺ˕а˘˙˕ ʵ ˣа˖˘˓˘ʺ 1кɫˢ ˆ ˔˕ˆ к˓ːˑа˘ˑ˓ˇ ˘ʺː˔ʺ˕а˘˙˕ʺ 25ɫˢ-1ʂɫˢ ʹˆа˔аз˓ˑʺ ˣа˖˘˓˘ ʵ ˔˕ˆʴ˓˕ʺ ɯ7 - 20. ɪ ˕ʺз˙ˏ˪˘а˘ʺ ˆзːʺ˕ʺˑˆˇ ʴ˩ˏ˓ ʵ˩ˮʵˏʺˑ˓, ˣ˘˓ ʵ ˔˕˓ˢʺ˖˖ʺ ˑаʶ˕ʺʵа ʹˆ˫ˏʺк˘˕ˆˣʺ˖каˮ ˔˕˓ˑˆˢаʺː˓˖˘˪ ˙ʵʺˏˆˣˆʵаʺ˘˖ˮ ˑаˣаˏ˪ˑ˓ ˖ ˖каˣкаːˆ ˆ ʹ˓˖˘ˆʶаʺ˘ ːак˖ˆːаˏ˪ˑ˓ʶ˓ зˑаˣʺˑˆˮ ˔˕ˆ ˘ʺː˔ʺ˕а˘˙˕ʺ