ФIЗИКА. МЕТОДИКА ВИКЛАДАННЯ ФIЗИКИ I АСТРОНОМIЇ В ЗОШ ТА ВНЗ УДК 537.311.33 Надточий В.А., Хаперец Д.С., Шарап Р.А. 1 доктор физико-математических наук, заведующий кафедрой физики, ГВУЗ «ДГПУ» 2-3 студенты 4 курса физико-математического факультета, ГВУЗ «ДГПУ» e-mail: fiziksgpu@ya.ua ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ДЕФОРМАЦИИ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЕВЫХ p-n-ПЕРЕХОДОВ Исследованы электрические свойства кремневых p-n-переходов, деформируемых сжатием в условиях ступенчатого нагружения при 300 и 77 К. Установлены две характерные области: ниже критического давления обратный ток p-n-перехода изменяется обратимо, выше — необратимо. Проведены исследования струк- туры деформированных p-n-переходов и температурных зависимостей обратного тока. Ключевые слова: деформация, дислокация, обратный ток, энергетические уровни, дефекты структур Введение В работах [1-3, 9, 10] были исследованы структурно-кинетические зако- номерности микропластической деформации монокристаллического Si и Ge. Установлено, что в приповерхностных слоях этих полупроводников глубиной около 10 мкм в интервале механических напряжений (20-100) МПа при 20 ◦ C происходит зарождение дислокаций. Представляло интерес изучить влияние низкотемпературной деформации на свойства p-n-переходов в тех случаях, когда их глубина залегания находится в пределах пластически деформиро- ванного слоя. c ⃝ Надточий В.А., Хаперец Д.С., Шарап Р.А., 2016 47