Enfoque UTE, V.9-N.1, Mar.2018, pp. 12 - 24 http://ingenieria.ute.edu.ec/enfoqueute/ e-ISSN: 1390‐6542 / p-ISSN: 1390-9363 Recibido (Received): 2017/10/30 Aceptado (Accepted): 2018/03/30 CC BY 4.0 Diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de Banda-X (Design of a linear microwave amplifier for X-Band carriers) Cristhian Castro-Peñaherrera 1 , Carlos Alberto Serra Jiménez 2 Resumen: En el presente artículo se exponen los resultados obtenidos en el diseño de un amplificador lineal de microondas para portadoras de banda X. Fundamentalmente se destacan los aportes realizados en las técnicas de implementación de circuitos amplificadores de alta frecuencia basados en transistores de tecnología HEMT de GaN; así como la elaboración de las líneas de polarización y puertos de adaptación, control de estabilidad y ganancias en el rango de frecuencias deseado. Se debe destacar la utilización de herramientas de software libre para la caracterización del transistor mediante sus parámetros S y la geometría de las líneas de transmisión del circuito. Palabras clave: líneas de transmisión; ROE; coeficiente de reflexión; parámetros S. Abstract: In the present article are exposed the results obtained in the design of a linear microwave amplifier for X-band carriers. It fundamentally shows the contributions made in the techniques of implementation of high frequency amplifier circuits based on transistors of GaN HEMT technology, as well as the elaboration of polarization lines and adaptation ports, stability control and gains in the desired frequency range. It should be noted the use of free software tools for the characterization of the transistor through its S parameters and the geometry of the transmission lines of the circuit. Keywords: transmission lines; SWR; reflection coefficient; S-parameters. 1. Introducción Los amplificadores de potencia de RF son usualmente la última etapa de un sistema de comunicación inalámbrico justo antes de las antenas, al ser este un dispositivo electrónico es mayoritariamente el que condiciona la potencia de transmisión, consumo de energía y tamaño físico del equipo, de allí la constante importancia en el desarrollo de técnicas para mejorar el rendimiento de este tipo de dispositivos (Hu, Qian, & Wang, 2015). Uno de los sectores en los cuales mayoritariamente se han desarrollado aplicaciones en banda-X, es el aeroespacial; en la transmisión de datos de satélites de observación terrestre, o en sensores que utilizan radares de apertura sintética, estos instrumentos a bordo de aeronaves espaciales requieren ser más eficientes en cuanto a consumo de potencia por ancho de banda y tamaño (Resca, y otros, 2014). La tecnología de fabricación de transistores de potencia para microondas ha conseguido la construcción de amplificadores pequeños y con grandes niveles de ganancia. Una de las principales tecnologías de fabricación de transistores para microondas con estas características son los HEMT de GaN. Su eficiencia radica en su alta impedancia y baja capacitancia de los puertos de entrada y salida lo cual permite que los dispositivos 1 Universidad Politécnica de Valencia, Valencia – España (cricaspe@upv.edu.es). 2 Universidad Técnica de Ambato, Ambato – Ecuador (carlos.serra@uta.edu.ec).