Goiânia, v. 1, n.1, p. 47-53, jan./jun. 2019, 47 Estudo do Transporte Eletrônico no semicondutor GaAs Usando a Equação de Newton-Langevin Recebido em: 14/11/2018 Aprovado em: 20/11/2018 Miranda, B. M. 1 , Rodrigues, C. G. 1 1 Escola de Ciências Exatas e da Computação Pontifícia Universidade Católica de Goiás Goiânia-GO-Brasil Resumo: os semicondutores permitem o desenvolvimento de inúmeros dispositivos ele- trônicos sendo então o seu estudo de grande relevância científica e tecnológica. Um dos focos de pesquisa e estudos em materiais semicondutores, e que será também realiza- do nesta pesquisa, é o transporte de carga (corrente elétrica) em materiais semiconduto- res. Neste artigo analisamos o transporte eletrônico no semicondutor Arseneto de Gálio (GaAs) a partir de uma equação diferencial do tipo Newton-Langevin. Obtivemos duas importantes equações: uma que descreve a velocidade de deriva e uma que descreve o deslocamento do elétron no semicondutor submetido a um campo elétrico constante, sen- do os resultados analisados graficamente. Palavras-chave: Semicondutores. Corrente elétrica. Newton-Langevin. Study of Eletronic Transpot on Gallium Arsenide Semiconductor using Newton- Langevin Equation Abstract: semiconductors allow the development of numerous devices electronics, therefore the study of semiconductors is of great scientific and technological relevance. One of the focus of research and studies on semiconductor materials, and that also will be considered in this paper, is the transport of charge (electric current) in a semiconductor material. In this paper we analyzed the electronic transport in the semiconductor Gallium Arsenide (GaAs) by using the Newton-Langevin equation. We obtained two important equations: one that describes the drift velocity and one that describes the displacement of the electron in the semiconductor submitted to constant electric field. The results were analyzed graphically . Keywords: Semiconductors. Electric Current. Newton-Langevin. 1 Introdução S emicondutores são materiais que tem suas bandas de valência e condução separadas por uma faixa proibida de energia de valor não muito elevado (da ordem de fração ou alguns elétrons-volt). Estes materiais têm uma condu- tividade elétrica bastante reduzida em temperaturas normais de operação com valor intermediário entre as condutividades de isolantes e condutores (daí o nome “semicondutor”) [1]. O sucesso dos semicondutores se deve principal- mente aos seguintes fatores: ISSN 2674-7863 Artigo / Articles DOI 10.18224/arithmos.v1i1.6913