The Japan Society of Mechanical Engineers NII-Electronic Library Service The Japan Sooiety of Meohanioal Engineers 1121 No ll 36 凵木機 械 学 会熱 2011 講演論文集 2011 IO29 30 浜松} Copyright 2011 社団法人 水蒸気 混合噴流 を用 表面 Resist Removal from a Wafer Surface by Steam Water Mixed Spray ○益 子 岳史 静岡 大) 俊之 (静岡 西山 (ダイ 健太 (静岡 TakashiMashiko ToshiyukiSanada and KentaroHashimoto ShizuokaUniversity 3 5 lJohoku Naka ku Hamamatsu Shizuoka432 8561 HideoHoribe Kanazawa lnstitute of Technology 3 l Yatsukaho Hakusan lshikawa924 0838 1tsuoNishiyama DaiplaWintesCo Ltd 1 3 26 Nagasunishidori Amagasaki Hyogo 660 0807 As part ofthe effort to elucidate the potentia ]of steam water mixed spray a high speed mu ti phase thermal fluid we conducted a series of experiments with resist coated silicon wafers as the target of the spray We measured the amount of the resist removed by the spray and fbund that itdepends on severa parameters such as thethickness and mechanical strength of the resist Tho results suggest that the resist removal by the spray is essentially a physicalprocess and the lmpact ofthe spray can be controlled implying the application potentiality ofthe spray Key Mords Two Fluid Spray Steam Resist Removal SurfaceCleaning 1 環境問題 対す 意識 まり や回路 微細化 半導体 洗浄手法に近年 な変 が生 じて 従来 チ式 多槽浸漬 法な ど 洗浄剤を用 た化学 浄法 であ 洗浄斉 1 」を大量 利用す 原理 に洗浄効 タミ 対応 細構内 洗浄が難し など 問題がある こで らに 洗浄法 開発が重要な課題 とな 洗浄法やメガ 洗浄法 どが 開発 う半導体本体 が問題にな てお り不要 に必 要なカ 洗浄力を制 御す る必 いる 気 と水 合噴流 によ 洗浄す 提案 して きた 5 れは洗浄剤が不要な低環 境負荷 洗浄法 であり 混合す 噴流 的作用を制御 得る可能性 示 され 3 望な しか 流が洗浄面に与える物理 的作 うな 因子 がど 影響 よ うな メ に よ り洗 浄 のか 未解明 分 ここで 洗浄対象物とし表面に トを した 噴流 射 した 際 に 除 去 され る 量を測定 各種 対す 影響 を評価 した 果を報 6 を調整する とに よ り ト膜 厚さ h を変 化 さ Tb k 調 とにより ト膜 機械的強度を さら より 表面 化さ 試験 面硬 影響 ト除 去 に及 す影響 を調 また トとウ 接着増強剤 HMDS あるも とな を用 意 する SAICAS 〔η 実際 着強度 F を測 定 し接着強度が ト除 去 に 及 す影響 を確 本実 ラメ を表 1 ま とめ φ 蒸気 FiglSchematie of experimental apparatus 2 実験 木研究で用 実験装 概略を図 1 電気 加熱 より水蒸気を発生さ この 混合噴流 ド方 101nm に置 たサ ける う簡 単 構成 ので ある 本実験 を水平 速度 移動 ながら 流を噴射す v に よ りサ が噴射される時間を 噴射時間 去に ぼす 影響 を確認する よ うに作製す ず直径 3 グによ i ポジ型 トを 表 面 塗布 後温 Tb k 回転 数 Table l Experimental parameters ラメ 変化範囲 膜厚 1O 15 μ m τ b 100 200 ° C 注入量 1D0 1 × 10 atoms cm 接着 F 0 2 8 mN 噴流移動速度 V 0 40 m s 3 結果 考察 を移動 が らサ に水 混合 噴射す ると 経路 に沿 帯状 領域 213 N 工工 Eleotronio Library