18 UPJ 2 (2) (2013) Unnes Physics Journal http://journal.unnes.ac.id/sju/index.php/upj ANALISIS STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GALIUM OKSIDA DOPING SENG OKSIDA YANG DIDEPOSISIKAN MENGGUNAKAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING Agus Andi Wibowo  Putut Marwoto, Sulhadi Prodi Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang, Indonesia,50229 Info Artikel ________________ Sejarah Artikel: Diterima Oktober 2013 Disetujui November 2013 Dipublikasikan Januari 2013 ________________ Keywords: Zinc Oxide doped Gallium Oxide (Ga2O3:Zn), substrat temperature, structure, optical transmittance ____________________ Abstrak ___________________________________________________________________ Film tipis Galium Okside doping Seng Oksida (Ga2O3:Zn) telah berhasil dideposisi di atas substrat silicon (1 1 1) dan corning glass pada daya plasma 22.16 W dengan suhu substrat 600°C dan 635°C menggunakan metode dc magnetron sputtering. Struktur kristal film dikarakterisasi menggunakan XRD (X-ray Diffraction). Morfologi film dikarakterisasi menggunakan SEM (Scanning Electron Microscopic). Transmitansi optik dikarakterisasi dengan spektrometer UV-Vis. Film tipis Ga2O3:Zn pada suhu temperatur 600°C dan 635°C mempunyai struktur polikristal. Telah didapat peak Ga2O3 (0 1 2) dan (2 1 10) dan peak silicon (1 1 1) dan (4 4 4). Pada orientasi (0 1 2) memiliki intensitas tertinggi dan nilai full width half maximum (FWHM) terkecil pada suhu substrat 600°C. Nilai transmitansi semakin kecil pada peningkatan suhu substrat dengan nilai terbesar 70% yang dimiliki suhu substrat 600°C dan 60% untuk suhu 635°C, dengan besarnya energi gap yang dihasilkan relative sama yaitu 4,65eV dan 4,60eV. Abstract ___________________________________________________________________ Zinc Oxide doped Gallium Oxide (Ga2O3:Zn) thin films have been successfully deposited at corning glass and silicon (1 1 1) substrat with a plasma power 20.16 W with substrat temperature 600°C dan 635°C using dc magnetron sputtering method. The crystal structure of films were characterized using XRD (X-ray diffraction). Morphology films ware characterized using SEM (Scanning Electron Microscopic). Optical transmittance characterized by UV-vis spectrometer. Ga2O3:Zn thin films on a substrat temperature of 600°C dan 635°C have a polycrystalline structure. Have obtained Ga2O3 peak (0 1 2) and (2 1 10) and peak silicon (1 1 1) and (4 4 4). The orientation (0 1 2) has the highest intensity and the value of full width half maximum (FWHM) at the smallest substrat temperature 600°C. Transmittance value the smaller the increase in substrate temperature with the largest value of 70% is owned by the substrate temperature of 600 ° C and 60% for a temperature of 635 ° C, with the magnitude of the resulting energy gap is relatively the same, namely 4.60 eV and 4.65 eV. © 2013 Universitas Negeri Semarang  Alamat korespondensi: Gedung D7 lantai 2 Kampus UNNES, Semarang, 50229 E-mail: agusandi88@yahoo.com ISSN 2252-6978