OPTICS  IN 1989  of about 20. The accompanying figure shows the differ- ence between the ATI electron energy distribution when  linearly (solid curve) and circularly (dashed curve) polar- ized 10 m light is used to ionize xenon. This additional  factor multiplies the 2000 already mentioned. (Further- more, if the ion species is not of interest, an additional  variable is introduced that can add even greater flexibili- ty!)  Although we have emphasized the implications of MPI  for electrons, it is clear that ion motion is frozen on the  time scale of an ultrashort laser pulse. The plasma density  profile will be determined by the initial gas density profile.  Thus, like the electron temperature, the ion density is a  parameter under experimental control.  One important implication of these results is the pro- duction of plasmas for recombination x-ray lasers. If the  plasma electron temperature is less than about 10% of the  ionization potential, transient inversions are predicted for  hydrogen-like or lithium-like ions. Furthermore, the small  scale of plasmas that can be produced by MPI is very fa- vorable for all cooling mechanisms and will facilitate qua- si-steady state gain on transitions above the resonance lev- el.  Real-time enhancement of  submicron defects using  photorefractives  L. Hesselink, Stanford University W e have developed a new approach using photore- fractives for real-time inspection of periodic masks  or cracks and defects in non-periodic objects. 1-2  The ap- proach is based on Fourier transform, holographic record- ing of the object, filtering, and phase-conjugate readout  using a photorefractive crystal. These processes are per- formed simultaneously to allow real-time operation. The  object to be inspected (top part of the figure) is placed in  the input plane, and the defect-enhanced image in the bot- tom part appears at the output plane, in a time limited  only by the time constant of the photorefractive material.  This time constant is material and light intensity depen- dent and ranges in our experiments from 50 to 250 msecs.  This method differs from previous approaches in that all  operations are carried out in the Fourier domain, no ob- ject dependent mask is needed, and real-time operation is  achieved without the need for careful alignment of filters  and masks.  The technique for performing real-time defect enhance- ment is based on two observations. First, the Fourier  Defect size Coordinates  ( m 2 (hor., vert.)  100 X 100 (22, 7.5)  50 X 100 (10,13.5)  100 X 50 (12.5,25)  10 X 100 (15, 20.5)  25 X 100 (24, 27.5)  100 X 25  (25.5, 22)  100 X 10  (25.5,15)  Optical surface inspection using Fourier transform ho- lography in photorefractives. transform of a periodic object is an array of spikes, where- as the Fourier transform of a small defect is a low ampli- tude, broad signal. The second observation is that the dif- fraction efficiency of volume phase holograms formed in a  photorefractive medium is maximized when the amplitude  of the interfering beams is approximately equal, and de- creases as the difference in intensity increases. These obser- vations are used in our apparatus, and defects are en- hanced by tuning the amplitude of the reference wave to  the amplitude of the weak defect signal. This increases the  signal strength of the phase conjugated defect signal rela- tive to the periodic background. As a result, a small spot is  visible in the output plane at the defect location, and the  periodic pattern has been erased from the image, as shown  in the lower part of the figure. Defects ranging from 10 to  100 m 2  are thus easily located and may be inspected in  more detail by subsequent digital or optical processing.  More recently we have extended this approach to in- clude detection of submicron features. 2  As an example, we  have detected cracks as small as 0.14 m in diskheads of  magnetic recording devices. The optical signal may be fur- ther enhanced by simple digital processing.  REFERENCES  1. E. Ochoa, J.W. Goodman, and L. Hesselink, Real-time enhancement  36 OPTICS NEWS • DECEMBER 1989