20 Журнал Белорусского государственного университета. Физика. 2021;3:20–25 Journal of the Belarusian State University. Physics. 2021;3:20–25 БГУ – стоетняя истори успеха Образец цитирования: Колесникова ЕА, Углов ВВ, Кулешов АК, Русальский ДП. Формирование эпитаксиальных пленок InSb на полуизоли- рующем GaAs(100) методом взрывного термического ис- парения: их структура и электрические свойства. Журнал Белорусского государственного университета. Физика. 2021; 3:20–25 (на англ.). https://doi.org/10.33581/2520-2243-2021-3-20-25 For citation: Kolesnikova EA, Uglov VV, Kuleshov AK, Rusalsky DP. For- mation of epitaxial InSb flms on semi-insulating GaAs(100) by explosive thermal evaporation: their structure and electrical properties. Journal of the Belarusian State University. Physics. 2021;3:20–25. https://doi.org/10.33581/2520-2243-2021-3-20-25 Авторы: Евгения Александровна Колесникова – стажер младшего научного сотрудника научно-исследовательской лаборато- рии физики ионно-плазменной модификации твердых тел кафедры физики твердого тела физического факультета. Владимир Васильевич Углов – доктор физико-математиче- ских наук, профессор; заведующий кафедрой физики твер- дого тела физического факультета. Андрей Константинович Кулешов – кандидат физико-ма- тематических наук; заведующий научно-исследовательской лабораторией физики ионно-плазменной модификации твер- дых тел кафедры физики твердого тела физического факуль- тета. Дмитрий Петрович Русальский – кандидат физико-мате- матических наук; ведущий научный сотрудник научно-ис- следовательской лаборатории физики ионно-плазменной модификации твердых тел кафедры физики твердого тела физического факультета. Authors: Evgenia A. Kolesnikova, trainee of junior researcher at the la- boratory of physics of ion-plasma modifcation of solids, de- partment of solid state physics, faculty of physics. kolesnikea@bsu.by Vladimir V. Uglov, doctor of science (physics and mathema- tics), full professor; head of the department of solid state phy- sics, faculty of physics. uglov@bsu.by Andrey K. Kuleshov, PhD (physics and mathematics); head of the laboratory of physics of ion-plasma modifcation of solids, department of solid state physics, faculty of physics. kuleshak@bsu.by Dmitry P. Rusalsky, PhD (physics and mathematics); leading researcher at the laboratory of physics of ion-plasma modif- cation of solids, department of solid state physics, faculty of physics. rusalsky@bsu.by УДК 538.91;621.315.592.2 ФОРМИРОВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК InSb НА ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕМ GaAs(100) МЕТОДОМ ВЗРЫВНОГО ТЕРМИЧЕСКОГО ИСПАРЕНИЯ: ИХ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Е. А. КОЛЕСНИКОВА 1) , В. В. УГЛОВ 1) , А. К. КУЛЕШОВ 1) , Д. П. РУСАЛЬСКИЙ  1) 1) Белорусский государственный университет, пр. Независимости, 4, 220030, г. Минск, Беларусь Исследованы фазовый состав, кристаллическое совершенство и электрические свойства пленок антимонида индия (InSb), обусловленные температурой их осаждения на подложки полуизолирующего GaAs(100). Методом взрывного термического осаждения порошка InSb на подложки полуизолирующего GaAs(100) в интервале темпе- ратур 375– 460 °С были сформированы тонкие пленки InSb различной степени кристаллического совершенства. Рентгеноструктурным анализом установлено, что пленки InSb являются гетероэпитаксиальными. Показано, что увеличение температуры осаждения от 375 до 460 °С приводит к изменению шероховатости (R a ) поверхности пленок от 3,4 до 19,1 нм. Чувствительность электродвижущей силы Холла к магнитному полю пленок InSb ме- няется в диапазоне 500 –1500 мВ/ Тл. Концентрация электронов (n) и их подвижность (μ) колеблются в интервале 2 ⋅ 10 16 – 6 ⋅ 10 16 см –3 и 10 ⋅ 10 3 – 21 ⋅ 10 3 см 2 /(B ⋅ c). Сформированные на подложке полуизолирующего GaAs(100) пленки InSb представляют практический интерес для изготовления высокочувствительных миниатюрных преоб- разователей Холла. Ключевые слова: антимонид индия; пленка; подложка; вакуумное осаждение; структура; электрические свойства.