Vertical Ge/SiGeSn-Based P-Channel Nano Field-Effect Transistors Integrated on Si Von der Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik der Universität Stuttgart zur Erlangung der Würde eines Doktors der Ingenieurwissenschaften (Dr.-Ing.) genehmigte Abhandlung Vorgelegt von Yasmine Elogail geboren am 13.11.1981 in Giza, Ägypten Hauptberichter: Prof. Dr. habil. Jörg Schulze Mitberichter: Prof. Dr.-Ing. Lars-Eric Wernersson Tag der mündlichen Prüfung: 07.02.2020 Institut für Halbleitertechnik Universität Stuttgart 2020