SIFAT OPTOELEKTRONIK WS2 YANG DIMODIFIKASI DENGAN METODE EKSFOLIASI FASE CAIR OPTOELECTRONIC PROPERTIES of WS2 COMPOUND MODIFIED BY LIQUID PHASE EXFOLIATION METHOD Akram Muhamad Rafli 1 , I. P. Handayani 2* , Muhammad Nasir 3 1,2 Prodi S1 Teknik Fisika, Fakultas Teknik Elektro, Universitas Telkom 3 Loka Penelitian Teknologi Bersih, Lembaga Ilmu Pengetahuan Indonesia akrammuhamadr@telkomuniversity.ac.id 1 , iphandayani@telkomuniversity.ac.id 2 (*corresponding author), mnasir71@yahoo.com 3 Abstrak pada tugas akhir ini penulis melakukan penelitian dengan tujuan untuk mengamati sifat listrik dan sifat optolektronik lapisan tipis WS2. WS2 dimodifikasi dengan eksfoliasi fase cair. Karakterisasi dilakukan dengan mengamati kurva I-V saat sebelum diberi gangguan, saat diberi gangguan dan setelah diberi gangguan eksternal berupa cahaya. Hasil karakterisasi kurva I-V WS2 yang dideposisi diatas substrat polyethylene terephthalate (PET) menunjukkan secara umum WS2 bersifat insulator dengan fluktuasi nilai arus di sebagian sampel. Arus yang mengalir pada sampel sebelum diberi cahaya sebesar -0.87 sampai 1.24 nA saat tegangan divariasi dari -5 sampai 5 V dengan nilai resistansi 3.6842 GΩ. Setelah tidak diberi cahaya nilai arus berubah menjadi -0.61 sampai 0.717 nA dengan nilai resistansi 6.59 GΩ. Nlai arus saat diberi cahaya mengalami fluktuasi dan perlu diteliti lebih lanjut. Selain itu, pada penelitian ini dilakukan juga karakterisasi Raman, photoluminescence (Pl) dan Uv-Vis. Hasil karkaterisasi Raman menunjukkan sampel masih berbentuk multilayer dengan munculnya puncak vibrasi E 1 2g(Γ) pada 354.9 cm -1 dan A1g(Γ) pada 420 cm -1 dengan selisih 65.1 cm -1 . Hasil karakterisasi Pl muncul pada puncak 650 nm menandakan adanya kontribusi eksiton pada sampel multilayer. Karakteriasi Uv-Vis pada puncak exciton A 638.2 dan B 530.6 nm menandakan WS2 masih tersusun dalam multilayer. Kata Kunci: WS 2 , eksfoliasi fase cair, Sifat Listrik, sifat optoelektronik, Raman spektroskopi, Photoluminiscence Abstract In this final task, the authors studies the optoelectronic properties of the WS2 thin layer. The WS2 is modified with liquid-phase exfoliation and deposited on top of the polyethylene terephthalate (PET) substrate. The I-V characteristic curves were observed before and after light illumination as well as when the sample was illuminated by the green light. In general, the WS2 thin film shows insulating behavior. The current was observed to be fluctuated in several samples. Without light illumination, the currents were -0.87 to 1.24 nA when the voltage was varied from -5 to 5 V. The current resistance is about 3.6842 GΩ. After light illumination, the current changes to -0.61 to 0.717 nA with a resistance value of 6.59 G Ω. Light induces current fluctuation in several samples. Besides, the samples were also characterized by Raman, photoluminescence, and Uv-Vis spectroscopy. of the multilayer characteristics is evidenced by the vibration peaks of E 1 2g(Γ) at 354.9 cm-1 and A1g(Γ) at 420 cm-1 with a difference of 65.1 cm-1. A photoluminescence peak of 650 nm indicates the contribution of exciton in multilayer samples. The Uv-Vis characterization at peaks A 638.2 and B 530.6 nm also suggests that the WS2 thin film is still composed in multilayers. Keywords: WS2, liquid phase, electrical properties, optoelectronic properties, Raman spectroscopy, Photoluminescence 1. Pendahuluan Penelitian tentang lapisan tipis berketebalan nanometer telah memberikan terobosan baru dibidang ilmu pengetahuan maupun teknologi. Material yang sering digunakan dalam pembuatan lapisan tipis berketebalan nanometer adalah Logam Transisi Dichalcogenide atau Transition Metal Dichalcogenide Compund (TMDC) yang memiliki rumus molekul TX2 dengan T= Mo,W dan X adalah S,Se,Te [1]. Tungsten Disulfide (WS2) termasuk dalam kategori TMDC yang memiliki indirect band gap sebesar 1.4 eV saat berbentuk bulk dan direct band gap ~2.1 eV saat berbentuk lapisan tunggal [2]. WS2 memiliki dua ikatan berbeda dalam lapisannya yaitu ikatan Van Der Waals di antara lapisan-lapisan yang berbeda dan ikatan kovalen pada lapisan yang sama [2], sehingga ISSN : 2355-9365 e-Proceeding of Engineering : Vol.8, No.1 Februari 2021 | Page 451