Nugraha, dkk., Deposisi Sambungan p-n CuInSe 2 47 PENDEPOSISIAN SAMBUNGAN p-n CuInSe 2 MULTILAYER-ZnO DENGAN METODE RF SPUTTERING DAN KARAKTERISASINYA (A Deposition of CuInSe 2 Multilayer-ZnO by RF Sputtering Method and Its Characterization) Nugraha E.R 1 , Atmono T.M 1 dan Agung B.S. Utomo 1 Jurusan Fisika, FMIPA UGM Sekip Unit 3 Bulaksumur Yogyakarta 55281 ABSTRAK Telah dilakukan penumbuhan kristal CuInSe 2 yang digunakan sebagai material target dengan metode Bridgman, pendeposisian sistem p-n junction CuInSe 2 multilayer – ZnO dengan teknik RF sputtering dan karakterisasinya. Deposisi dilakukan dengan tingkat kevakuman mencapai 3,5 ×10 -5 mbar, dengan tekanan argon sebesar 3×10 -2 mbar, tegangan self –bias 1075 V, daya RF 200 W dan jarak elektroda 20 mm. Tegangan anoda ambang sebesar -10 V diberikan pada proses sputtering untuk mengoptimalkan sifat masing-masing lapisan, serta mampu menaikkan daya pada proses sputtering sebesar ∼ 24,4 %. Hasil XRD menunjukkan bahwa kristal CuInSe 2 yang terbentuk berstruktur tetragonal khalkopirit dengan konstanta kisi a = 5,77278 Å dan c = 11,61888 Å. Dari Hasil XRD diketahui bahwa lapisan CuInSe 2 multilayer telah terdeposisi pada substrat kaca dengan konstanta a = 5,67355 Å dan c = 11,57093 Å. Berdasarkan uji FPP lapisan CuInSe multilayer merupakan semikonduktor tipe -p dengan hambatannya (1,41 ± 0,03) ×10 2 ? dan nilai resistivitasnya (1,63 ± 0,04) ? cm. Dari uji Spektrofotometer UV-vis diketahui bahwa lapisan CuInSe 2 multilayer merupakan absorber yang baik pada panjang gelombang 300nm – 500nm. Pengamatan EDX memperlihatkan CuInSe 2 multilayer terdeposisi di atas kaca dengan perbandingan molaritas Cu:In:Se adalah 0,35:0,93:2. Dari hasil SEM diperoleh ketebalan lapisan sebesar (1,441 ± 0,005) μm dengan laju deposisi sebesar 0,7206×10 -1 μm/menit. Kata kunci: semikonduktor, CuInSe 2 /multilayer ZnO p-n junction, lapisan tipis, ohmic ABSTRACT It has been carried out the deposition of a CuInSe 2 crystal by using theBrigman method, followed by the deposition system of a p-n junction CuInSe 2 /multilayer ZnO using RF sputtering method and their characterization. Deposition of thin film was done in a chamber with the basic pressure of about 9×10 -6 mbar, self bias voltage around 1075 volt, RF power at 200 watt and electrode distance of 20 mm. To improve the character of each thin film, the anode voltage is set at floating of – 10 volt, so that the part of argon ions is accelerated to the anode, causes the cleaning of impurity of the formed thin film. The XRD result of CuInSe 2 crystal shows that ingot has a khalkopirit tetragonal structure with lattice constant a = 5,77278 Å and c = 11,61888 Å. On the other hand Cu InSe 2 multilayer film has lattice constant a = 5,67355 Å and c = 11,57093 Å. Measurement using FPP test informed that CuInSe 2 film is p-type of semiconductor having an electrical resistance (1,41 ± 0,03) ×10 2 O, correspond to the resistivity of (1,63 ± 0,04) Ocm. The UV-vis Spectrophotometer informs that Cu InSe 2 multilayer film is a good absorber nearly 100 % in the range of visible light 300 nm – 500 nm. EDX measurement showed that CuInSe 2 the molarity comparison of Cu:In:Se is 0,35:0,93:2. The thickness of the thin film is (1,441 ± brought to you by CORE View metadata, citation and similar papers at core.ac.uk provided by BIMIPA