Revista Foco |Curitiba (PR)| v.15.n.2|e345| p.01-17 |2022 1 Jackelinne Lares Vasconcelos,Clóves Gonçalves Rodrigues,José Elmo de Menezes, Marcos Lajovic Carneiro ___________________________________________________________________________ TRANSPORTE DE ELÉTRONS DE CONDUÇÃO NO SEMICONDUTOR 4H-SiC SUBMETIDO A CAMPOS ELÉTRICOS CONDUCTIVE ELECTRON TRANSPORT IN THE 4H-SiC SEMICONDUCTOR SUBJECTED TO ELECTRIC FIELDS TRANSPORTE DE ELECTRONES DE CONDUCCIÓN EN SEMICONDUCTOR DE 4H-SiC SOMETIDO A CAMPOS ELÉCTRICOS Jackelinne Lares Vasconcelos 1 Clóves Gonçalves Rodrigues 2 José Elmo de Menezes 3 Marcos Lajovic Carneiro 4 DOI: 10.54751/revistafoco.v15n2-006 Recebido em: 08 de Agosto de 2022 Aceito em: 09 de Setembro de 2022 RESUMO Entre os vários politipos do carbeto de silício (-SiC), o 4H-SiC é reconhecido como o semicondutor mais atraente para operação em dispositivos eletrônicos de alta potência, alta frequência e alta temperatura devido a seu maior gap e maior mobilidade de portadores que o de outros politipos. Neste artigo foram determinados o deslocamento e a velocidade dos elétrons de condução no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo . O transporte dos elétrons de condução no semicondutor 4H-SiC foi obtido utilizando uma equação diferencial de movimento baseada na lei de força com adaptações quânticas, obtendo-se a mobilidade em função da intensidade e direção do campo elétrico aplicado e da temperatura. Foi constatado um aumento linear da velocidade em função do campo elétrico e uma diminuição não linear da mesma com o aumento da temperatura. A maior mobilidade ocorre quando a direção do campo elétrico aplicado é perpendicular ao eixo cristalico “” do cristal semicondutor 4H-SiC. Palavras-chave: Semicondutor; carbeto de silício; 4H-SiC; transporte de carga elétrica. 1 Mestra em Engenharia de Produção e Sistemas pela Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC). Escola Politécnica, Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC). Avenida Universitária, CP 86, Setor Universitário, CEP: 74605-010, Goiânia-GO. E-mail: jackelinne.senai@sistemafieg.org.br 2 Doutor em Ciências pelo Instituto de Física Gleb Wataghin, (UNICAMP). Escola Politécnica, Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC). Avenida Universitária, CP 86, Setor Universitário, CEP: 74605-010, Goiânia-GO. E-mail: cloves@pucgoias.edu.br 3 Doutor em Estatística pela Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica, Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC). Avenida Universitária, CP 86, Setor Universitário, CEP: 74605-010, Goiânia-GO. E-mail: jelmo.maf@gmail.com 4 Doutor em Engenharia Elétrica pela Universidade de Brasília (UnB) e Universidade Bordeaux I. Escola Politécnica, Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC). Avenida Universitária, CP 86, Setor Universitário, CEP: 74605-010, Goiânia-GO. E-mail: mcarneiro@pucgoias.edu.br